中新網9月3日電 日前,全球移動存儲領導廠商朗科公司發布的一款新品閃存盤U217引起了人們的廣泛關注。它的連續讀寫速度達到了32MB/sec、21MB/sec,隨機讀寫速度達到了32MB/sec、12MB/sec,后者更是全球著名品牌同類產品的4倍左右。
據悉,2008年閃存盤產品平均讀寫速度在10MB/sec左右(說明:一般讀為12~18,寫5~8),而這一速度通常指的是連續讀寫大小達100MB以上的單一文件的速度,如果將幾十上百個文件存放在一個文件夾中,然后拷貝這一文件夾,其拷貝速度將急劇下降4~5倍,只有1~3MB/sec左右——這就是隨機寫速度。
“朗科U217的最大設計容量為128GB,這對閃存盤來說是一個全新的時代,這個時代對讀寫速度的要求與以往截然不同。”有業內分析人士表示,它不僅要求閃存盤的連續讀寫速度要足夠快,還要求其隨機讀寫速度也能跟上“擴容”的步伐。
朗科U217通過獨特的技術手段,成功地將閃存盤隨機寫速度提高到12 MB/sec,是全球第一款成功跨越百GB容量速度門檻的閃存盤。
據悉,朗科三大閃存技術主要通過“閃存芯片的控制加速、雙通道倍速和nSpeed提速技術”三種方法來實現速度的顯著提升。其中,新的閃存控制技術可以讓閃存盤讀寫速度提高30~40%。而雙通道技術則直接將閃存盤的讀寫技術提高到兩倍。
尤其值得一提的是nSpeed技術。據朗科技術人員介紹,當前的操作系統都是針對傳統硬盤設計的,包含很多優化傳統機械硬盤的機制。而這些優化機制對閃存盤是無效甚至有害,從而使閃存盤不能100%地發揮出應有的性能。
“朗科nSpeed加速技術正是為優化閃存盤性能而誕生,它在目前的操作系統下,使閃存盤成功突破主機端的限制,將閃存的讀寫速度垂直飆升。”朗科相關技術人員表示。
IT產業總是以一款新產品來標志一個時代的開始,比如P4、winXP,液晶顯示器、甚至光電鼠、無線鼠標……,有行業人士表示;“就具備實用價值的百GB容量的閃存盤來說,朗科U217似乎也扮演了類似的角色”。
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